椭偏技术的原理及其在功能薄膜表征中的应用  

Principles of Ellipsometry and Its Applications in theCharacterization of Functional Thin Films

作　　者：孙顺明[1] 张良莹[1] 姚熹[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子材料与器件研究所

出　　处：《压电与声光》1998年第3期209-213,共5页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：随着计算机技术的不断发展，已有一百多年历史的椭偏技术的研究重点已从该技术本身转移到了它在材料分析中的新用途。通过介绍椭偏技术的测量原理，给出了椭偏仪在材料表征中的应用范围和局限。研究表明，结合其他分析工具并建立精细的椭偏模型，可变入射角光谱椭偏仪（ＶＡＳＥ）能定量测量各种功能金属氧化物薄膜的厚度、光学常数和气孔率。ＶＡＳＥ将在功能金属氧化物外延薄膜的生长控制和性能优化等方面发挥积极的作用。Research　emphasis　of　the　technique　of　ellipsometry　has　been　transferred　to　its　novel　applications　in　materials　analysis　from　ellipsometry　itself　which　has　a　histroy　of　over　100　years,upon　the　continuously　rapid　development　of　computer　technology.Applied　range　and　limits　are　given　about　ellipsometry　in　characterization　of　materials　through　introducing　its　principles.Combining　with　other　analysis　tools　and　establishing　refined　model,researchers　have　illustrated　that　variable　angle　spectroscopic　ellipsometry(VASE)can　be　used　to　determine　quantitatively　thickness,optical　constants　and　porosity　of　various　functional　metal　oxide　thin　films.VASE　will　play　an　active　role　in　epitaxial　thin　films　of　functional　metal　oxide,such　as　growth　control,property　optimization　and　so　on.

关 键 词：VASE 椭偏技术 表征 金属氧化物 薄膜 功能薄膜 

分 类 号：O484[理学—固体物理]