3mm梁式引线混频管的设计与研制  

The Design and Fabrication of 3 mm Beam Lead Mixer Diodes

作　　者：郭方敏[1] 夏冠群[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所,200050

出　　处：《固体电子学研究与进展》1998年第2期113-119,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：依据毫米波梁式引线混频二极管等效电路，优化设计了3mmGaAs梁式引线混频管的几何参数，确定了关系到器件性能的GaAs多层外延材料的最佳浓度、厚度等材料参数，近似采用了触须式二极管概念的一些优点和技术，以降低器件的串联电阻和寄生电容，研制出的3mm梁式引线混频管在89．5GHz时，双边带噪声系数6．1dB，并且在12．5、8、5、4mm波段取得令人满意的结果。This paper reports the fabrication of a GaAs planar beam-leadedstructure with low parasitic capacitance and minimum of series resistance by meansof a novel new technology. Devices measured in a double-balanced downconvertercircuit show that typical value of the DSB noise figure of the mixer diode is 6. 1 dBat 89. 5 GHz and wonderful results in 12. 5, 8, 5, 4 mm wavebands.

关 键 词：梁式引线 混频管 砷化镓 双边带噪声系数 

分 类 号：TN313.8[电子电信—物理电子学] TN304.23