砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析  

As Implanted HgCdTe Photodiodes and Equivalent Analysis of the I-V Characteristics

作　　者：李向阳[1] 赵军[1] 陆慧庆[1] 胡晓宁[1] 方家熊[1] 

机构地区：[1]中科院传感技术国家重点实验室,中科院上海技术物理研究所

出　　处：《激光与红外》1998年第3期176-179,共4页Laser & Infrared

摘　　要：通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子Ｒ。Ａ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。Abstract HgCdTe P-on-N photodiodes were ob- tained by As. implantation and following annealing. The devices showed relatively high performance. The cutoff wavelength is 5. 5m ,and the blackbody

关 键 词：碲镉汞光电二极管 砷注入及退火 电流电压特性 

分 类 号：TN15[电子电信—物理电子学]