工业晶体生长  

Industrial Crystal Growth

作　　者：徐家跃[1,2] 

机构地区：[1]上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海200235 [2]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

出　　处：《人工晶体学报》2009年第3期591-596,共6页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.50672111)

摘　　要：本文考察了一些典型的晶体材料及其工业生长技术,如提拉法生长硅单晶,水热法生长水晶,VGF法生长GaAs,下降法生长锗酸铋,壳熔法生长锆石等,探讨了工业晶体生长的特点和发展方向。In this paper, some cases of industrial crystal growth, such as Czochralski growth of silicon crystals, hydrothermal growth of quartz, VGF growth of GaAs, Bridgman growth of bismuth germinate,skull melting growth of cubic zirconia crystals are given. The characteristics of the industrial crystal growth were discussed also.

关 键 词：晶体生长 提拉法 水热法 下降法 模拟 

分 类 号：O78[理学—晶体学]