ICP-AES法同时测定铝镁锗硅合金中铝、镁、锗、硅  

作　　者：赵玉珍[1] 吕佩德[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《现代仪器使用与维修》1998年第1期18-20,共3页Modern Instruments

摘　　要：本文报道了用具有二维电荷注入检测器(CID)和端视等离子体炬的全谱直读等离子体光谱仪,同时测定Al-Mg-Ge-Si合金中Al-Mg-Ge-Si的方法。试样用HNO_3-HF溶解后,加H_3BO_3络合过量的F,并用其中的B为内标进行测定,以改善测量的精密度与准确度。合成试样的回收率为 99.1％～101.0％,样品测定的相对标准偏差小于1％。方法简便、准确,用于样品分析,结果满意。

关 键 词：ICP-AES 铝镁合金 光谱分析 

分 类 号：TG146.21[一般工业技术—材料科学与工程] TG115.33[金属学及工艺—金属材料]