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作 者:马爽[1,2] 李文建[1] 王菊芳[1] 周利斌[1] 余丽霞[1] 董喜存[1,2] 陆栋[1,2] 刘敬[1]
机构地区:[1]中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州730000 [2]中国科学院研究生院,北京100049
出 处:《原子核物理评论》2009年第2期168-171,共4页Nuclear Physics Review
基 金:中国科学院西部之光人才培养计划资助项目(O606180XB0)~~
摘 要:选取高低两个LET点(40和60keV/m),剂量点分别为50,100,200,400,600Gy进行辐照处理,研究了生防菌的存活率与突变率的关系,抑菌谱以及活性等。结果表明,在高LET条件下,低剂量辐照就可以得到较多的突变体,并且BJ1有较高的存活率和突变谱,有利于筛选优良的正突变体。因此高LET较低LET有更为明显的辐射诱变效应。To explore the effects of different linear energy transfer(LET)of ^12C^6+ ion Beam irradiation on BJ1, survivals and hiocontrol effects were cultured and treated with LET= 40 and 60 keV/μm at the doses of 50, 100, 200, 400 and 600 Gy, respectively. The results showed more mutations and hiocontrol charts and higher survivals were obtained with high LET(60 keV/μm) irradiations at lower dose, which was useful to screen good positive mutations. Based on the results above, it could be concluded that the condition of high LET(60 keV/μm) had obvious mutagenic effects than that of low LET(40 keV/μm).
关 键 词:传能线密度 C离子 生防菌BJ1 辐射 诱变效应
分 类 号:O571.5[理学—粒子物理与原子核物理]
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