HL-1M托卡马克中的硼化  

BORONIZATION IN THE HL1M TOKAMAK

作　　者：张年满[1] 王恩耀[1] 王明旭[1] 洪文玉[1] 王志文[1] 崔成和[1] 梁艳 

机构地区：[1]核工业西南物理研究院

出　　处：《核聚变与等离子体物理》1998年第2期41-45,共5页Nuclear Fusion and Plasma Physics

摘　　要：用碳硼烷加氦直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０—７０ｎｍ，硼碳比约为１６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻的能力。硼化显著改善了等离子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。L1M 45The　inner　wall　of　the　HL1M　vacuum　chamber　has　been　coated　in　situ　with　a　boroncontaining　carbon　film　by　means　of　DC　glow　discharge　in　helium　and　carborane.　The　average　film　thickness　is　50-70nm　and　the　ratio　of　boron　to　carbon　in　the　layer　is　about　1∶6.　Wall　conditions　are　improved　dramatically　by　boronization.　Oxygen　from　the　wall　was　suppressed　significantly　and　the　chemical　erosion　of　graphite　tile　surface　by　energetic　hygrogen　ions/atoms　seemed　to　be　reduced　also.　Some　plasma　parameters,　the　stability　and　reproducibility　of　discharges　and　LHCD　operating　conditions　were　improved　greatly　after　boronization.

关 键 词：硼化 器壁条件 托卡马克装置 

分 类 号：TL631.24[核科学技术—核技术及应用]