半导体三极管电磁脉冲损伤功率实验研究  

Experimental studies on damage power of square wave electromagnetic pulse for the semiconductor triode

作　　者：杨建光[1] 武占成[2] 

机构地区：[1]张家口职业技术学院基础部,河北张家口075051 [2]军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北石家庄050003

出　　处：《电源技术》2009年第7期611-614,共4页Chinese Journal of Power Sources

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50237040)

摘　　要：针对硅微波低噪声三极管2SC3399进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下造成损伤的损伤功率表达式,通过对损伤功率进行统计分布,发现三极管损伤能量值基本符合正态分布。Silicon microwave low-noise triode, such as 2SC3399, has been carried on experiments of the square wave electromagnetic pulse effect. We gets some initial conclusions, and finds the expression of damage power. By the way of carrying on the statistical distribution,We find that the triode＇s damage energy value basically fits the normal distribution.

关 键 词：半导体三极管 方波电磁脉冲 损伤功率 损伤能量 

分 类 号：TM835[电气工程—高电压与绝缘技术] TN949.7[电子电信—信号与信息处理]