非对称量子阱中折射率变化研究  

Refractive Indexes Changed in Asymmetrical Quantum Well

作　　者：郑允宝[1] 王瑞珍[2] 陈彬[2] 

机构地区：[1]广东技术师范学院电子与信息学院,广东广州510665 [2]广州大学物理与电子工程学院,广东广州510006

出　　处：《沈阳师范大学学报（自然科学版）》2009年第3期302-305,共4页Journal of Shenyang Normal University:Natural Science Edition

摘　　要：主要研究了一种特殊非对称量子阱中的克尔非线性折射率的改变。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了量子阱中的克尔非线性折射率的改变的表达式,然后以典型的非对称量子阱材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对克尔非线性折射率以及总的折射率的影响,从而为实验研究提供理论依据。Within the framework of the compact density matrix approach and an iterative method, the refractive indexes changed for asymmetrical quantum well are investigated. Finally, the numerical results are p resented for a typical GaAs/ AlGaAs asymmetric quantum well. The larger refractive indexes changed was obtained in this special quantum well. This is a feasible way to get fine nonlinear materials in experiment.

关 键 词：量子阱 折射率 密度矩阵算符 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]