4·2GHz CMOS射频前端电路设计  

Design of 4.2 GHz CMOS RF Front-end

作　　者：丘聪[1] 叶青[1] 叶甜春[1] 范军[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《微电子学》2009年第4期532-535,共4页Microelectronics

摘　　要：设计并实现了一个工作在4.2 GHz的全集成CMOS射频前端电路,包括可实现单端输入到差分输出变换的低噪声放大器和电流注入型Gilbert有源双平衡混频器。电路采用SMIC0.18μm RF工艺。测试结果表明,在1.8 V电源电压下,电路的功率增益可达到26 dB,1 dB压缩点为-27 dBm,电路总功耗(含Buffer)为21 mA。A 4. 2 GHz fully integrated CMOS RF front-end was designed and implemented. The circuit contains low noise amplifier （LNA） for single-end-input/differential-output conversion and a Gilbert double-balanced mixer. This front-end circuit was implemented in SMIC＇s 0.18μm RF technology. Test results showed that, with 1.8 V supply voltage, the circuit had a power gain of 26 dB, -27 dBm compression point at 1 dB and total power （including buffer） of 21 mA.

关 键 词：超外差接收机 射频前端 低噪声放大器 混频器 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统] TN722.3