Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)固态电解质化学溶液法的合成与性能  

SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ) SOLID ELECTROLYTE VIA CHEMICAL SOLUTION PROCESS

作　　者：郭鸣[1] 孟祥建[2] 杨平雄[1] 褚君浩[1,2] 

机构地区：[1]华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》2009年第4期259-262,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金(60677022);上海市科委重点项目(07JC14018);上海市重点学科建设项目(B411);国家重大科学研究计划项目(2007CB924902);华东师范大学2008年优秀博士研究生培养基金(20080051)资助项目

摘　　要：用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介电损耗来源于氧空位的短程扩散,BICUVOX.10薄膜主要表现为晶粒电导特性.BICUVOX.10薄膜中氧离子电导激活能约为0.3 eV,氧离子电导率约为5×10-2S.cm-1.Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ（BICUVOX.10） materials were prepared by chemical solution process,and the phases,surface morphology and electrical properties of the materials were studied.Our results show that the higher-conducting γ-phase of the BICUVOX.10 thin films is stabilized at room temperature.The BICUVOX.10 thin films deposited on LaNiO3/Si substrates are preferred（001） orientation and the mean grain size of the films is about 200 nm.The dielectric dispersion of the films may be originated from the short distance diffusion of oxygen vacancies in the low frequency region.The grain boundary dominates the conduction for the BICUVOX.10 thin films.The activation energy of oxygen ionic conduction in the BICUVOX.10 thin films is about 0.3 eV.The oxygen ionic conductivity is about 5×10^-2 S·cm^-1.

关 键 词：铜-钒酸铋 电解质 氧离子电导 

分 类 号：TB303[一般工业技术—材料科学与工程]