Sm填充型方钴矿化合物的高温高压合成及电输运特性研究  

Electric transport properties of Sm-filled CoSb_3 skutterudite compounds prepared by HPHT

作　　者：姜一平[1,2] 贾晓鹏[1] 宿太超[1] 董楠[1] 邓乐[1] 马红安[1] 

机构地区：[1]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130012 [2]北华大学物理学院,吉林市132103

出　　处：《原子与分子物理学报》2009年第4期725-728,共4页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：国家自然科学基金(50731006;50801030);吉林大学985工程研究生创新基金(20080219)

摘　　要：利用高温高压方法在2～5.0 GPa和900 K的合成条件下成功合成出系列立方相Sm填充型方钴矿化合物Sm_xCo_4Sb_12(x=0.2,0.6,0.8)体热电材料,并系统地研究了合成压力及不同的Sm填充分数对其室温下的电输运特性(电阻率、Seeddeck系数、功率因子)的影响.研究结果表明,Sm填充型方钴矿化合物Sm_xCo_4Sb_12为n型半导体.在不同压力下,随着Sm填充分数的增加,Seeddeck系数的绝对值和电阻率均呈现降低趋势.在2 GPa,900 K条件下合成的Sm_0.8Co_4Sb_12化合物功率因子达到最大值5.88μw/(cm·K2).Sm-filled skutterudite compounds SmxCo4Sb12（x=0.2, 0.6, 0.8） were successfully synthesized at 2-5.0 GPa and 900 K. The XRD results indicate that all samples have the crystal structure of single phase CoSb3. The dependence of electric transport properties for SmxCo4 Sb12 samples on Sm filling fraction and pressure has been studied at room temperature. The Sm-filled skutterudite is n type semiconductor. The electrical resistivity and the absolute value of Seebeek coefficient decrease with the increasing of Sm filling fraction. The maximum power factor is obtained for Sm0.8Co4Sb12 synthesized at 2 GPa and 900 K.

关 键 词：SM 方钴矿 高温高压 热电材料 

分 类 号：O521.2[理学—高压高温物理]