一步法电沉积CuInSe_2半导体膜  

Electrodeposition of CuInSe\-2 Film by OneStep Method

作　　者：苏永庆[1] 马子鹤[1] 刘频[1] 

机构地区：[1]云南师范大学化学系

出　　处：《材料保护》1998年第7期8-9,共2页Materials Protection

基　　金：云南省自然科学基金

摘　　要：在以ＩｎＣｌ３、ＣｕＣｌ、ＳｅＯ２为主盐，酒石酸为络合剂，聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中，在Ｍｏ片或Ｔｉ片上进行阴极电沉积，可获得ＣｕＩｎＳｅ２半导体膜，它与ＣｄＳ组成的ｎ－ＣｄＳ／ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２光电池光电效率可达７％～８％，部分达１１％。Abstract Electrodeposition of CuInSe\-2 film on Mo or Ti plate from the solution containing InCl\-3,CuCl,SeO\-2,tartaric acid (complexing agent) and small amount of additives was investigated.The nCdS/pCuInSe\-2 photoelectric cell was then built.The photoelectric efficiency was 7%￣8%,some could reach 11%.

关 键 词：电沉积 CuInSe膜 一步法 半导体膜 镀膜 

分 类 号：TN304.205[电子电信—物理电子学]