激光二极管侧面抽运平板Nd:LuVO_4晶体热效应  

Thermal Effect in Nd: LuVO_4 Crystal Slab by Laser Diode Side-Pumped

作　　者：李金平[1,2] 史彭[2] 范婷[1] 高峰[3] 

机构地区：[1]石河子大学师范学院生态物理重点实验室,新疆石河子832003 [2]西安建筑科技大学理学院,陕西西安710055 [3]中国电子科技集团第三十九研究所,陕西西安710065

出　　处：《中国激光》2009年第8期1923-1927,共5页Chinese Journal of Lasers

基　　金：陕西省教育厅专项科研项目(06JK251);陕西省科技厅工业攻关项目(2008K05-15)资助课题

摘　　要：在解析热分析理论的基础上,建立了平板Nd:LuVO_4激光晶体在激光二极管阵列侧面抽运时的导热微分方程。通过对方程的求解,得到了Nd:LuVO_4晶体内部温度场解析式,热形变场分布、温度场和热形变场的数值模拟表明,当抽运光功率为40 W,抽运区域为1 mm× 4 mm时,晶体在x方向的最高相对温升为11.63 K.y和z方向的最高温升为11.00 K;在x,y,z三方向上的热形变量分别为0.050 μm,0.034μm和0.48μm。这一结果可为Nd:LuVO_4激光器设计提供理论支持。Based on the theory of thermal analysis, heat conduction equation of Nd ： LuVO4 crystal slab side-pumped by diode laser arrays is built. By solving the heat conduction equation, the analytic expression of temperature field and thermal deformation distribution is obtained. When geometry of pumping diodes corresponds to 1 mm × 4 mm, and the power is about 40 W, temperature and heat deformation field of numerical simulation results show that the maximum temperature rise of 11.63 K along x, and 11.00 K along y and z direction, respectively, and total thermal deformations are 0. 050μm, 0. 034μm and 0.48 μm along x, y and z direction, respectively. This work will supply the theory for design of Nd ： LuVO4 laser.

关 键 词：激光器 Nd:LuVO4晶体 温度场 热形变场 

分 类 号：TN248.1[电子电信—物理电子学]