B_mN_n、B_mN_n^-和B_mN_n^+电子特性的研究  

作　　者：林家勇[1] 

机构地区：[1]广东工业大学华立学院机电工程学院

出　　处：《科技信息》2009年第22期79-79,81,共2页Science & Technology Information

摘　　要：本文采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)相同水平上计算了BmNn(m+n╬5)的绝热电子亲和势,BmNn-的垂直电离势,BmNn+的绝热电离势和垂直电离势。结果表明:BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱,B2N2-失电子能力最强,BN4-失电子能力最弱,BN2-和B2N-、BN-和B3N-的垂直电离能力相同。

关 键 词：团簇 垂直电离势 绝热亲和势 密度泛函理论 

分 类 号：O481[理学—固体物理] O561.3[理学—物理]