一种新型化学溶液沉积法制备涂层导体用RE2O3(RE=Y，Sm，Eu，Dy,Yb)缓冲层  

A Novel Chemical Solution Deposition Approach for Preparation of RE_2O_3 (RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb) Buffer Layer Used for Coated Conductors

作　　者：雷鸣[1] 李果[1] 孙瑞萍[1] 蒲明华[1] 王文涛[1] 武伟[1] 张欣 张红[1] 张勇[1] 程翠华[1] 赵勇[1] 

机构地区：[1]西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川成都610031

出　　处：《稀有金属材料与工程》2009年第8期1458-1461,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(50672078);国家杰出青年基金(50588201);国家973前期项目(2007CB616906);西南交通大学青年教师科研起步基金(2007Q018)

摘　　要：用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW(200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y,Sm,Eu,Dy,Yb)缓冲层。分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测。结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹。A novel chemical solution deposition approach was employed for the preparation of coated-conductor-used RE203 （RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb） buffer layers on the biaxial NiW（200） alloy substrate. X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscope （SEM）, and atomic force microscope （AFM） were used to characterize the phase structure, texture, surface morphology and roughness of the as-received RE2O3 buffer layers. Results show that the obtained RE2O3 buffer layers have well biaxial texture and their surface is smooth and crack free.

关 键 词：RE2O3缓冲层 化学溶液沉积 双轴织构 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O484.5[理学—物理]