非晶硅太阳电池I-V特性的研究  

作　　者：豆小秋[1] 吕建[1] 蒋英[2] 曹智[2] 

机构地区：[1]天津城市建设学院 [2]天津国土资源和房屋职业学院

出　　处：《太阳能》2009年第8期26-28,共3页Solar Energy

摘　　要：在试验的基础上,研究了不同太阳能辐射强度与太阳电池表面温度下的非晶硅太阳电池I-V特性。依据试验数据分析了三种不同I-V特性模型的优缺点,即单指数模型、多项式拟合模型和等效电路形式模型。最后分析了不同辐射强度对发电性能的影响。

关 键 词：非晶硅太阳电池 I-V特性曲线 等效电路 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动] TN386[电子电信—物理电子学]