含负磁导率或双负材料的一维光子晶体的全方位带隙中波的反射相位特性  

Reflection Phase Properties in the Omni-directional Gap of One-dimensional Photonic Crystals with Mu-negative or Double-negative Materials

作　　者：林密[1] 欧阳征标[2,3] 徐军[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,成都610054 [2]深圳大学电子科学与技术学院太赫兹技术研究中心 [3]深圳大学深圳市微纳光子信息技术重点实验室,深圳518060

出　　处：《光子学报》2009年第8期1946-1952,共7页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(60877034);广东省自然科学基金重点项目(8251806001000004);深圳市科技计划项目;深圳市微纳光子信息技术重点实验室开放项目资助

摘　　要：运用传输矩阵法研究了含负磁导率或双负材料的一维光子晶体结构在全方位光子禁带中波的反射相位谱.研究发现"负磁导率材料-正折射率材料"光子晶体和"双负材料-正折射率材料"光子晶体,在所述带隙中,对TE波而言,反射相位随入射角的增大而增大;对TM波而言,禁带频率范围内波的反射相位随入射角的增大而减小;TE波和TM波,两种结构的反射位相均随介质层的厚度缩放因子增大而增大,且都与周期数无关.Reflection phase properties of one-dimensional photonic crystals （PhCs） with mu-negative or double-negative materials are investigated by the transfer matrix method. In both of the two structures-“mu-negative positive-index PhC” and “double-negative positive-index PhC”, the results show that the reflection phase in the omni-directional gap increases with the increase of incident angle for TE modes. For TM modes, the reflection phase decreases with the increase of incident angle. And the reflection phase increases with the increase of the scaling factor of layer thickness, while keeps invariant with the increase of periodic numbers for both TE and TM modes.

关 键 词：光子晶体 传输矩阵 负磁导率材料 双负材料 全方位光子带隙 反射相位 

分 类 号：O73[理学—晶体学]