自旋场效应晶体管的原理和研究进展  

PRINCIPLE AND RESEARCH PROGRESS OF SPIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR

作　　者：杨军[1] 蒋开明[2] 葛传楠[3] 张俊男[1] 

机构地区：[1]解放军理工大学理学院数理系,江苏南京210007 [2]上海海事大学物理系,上海200135 [3]江苏教育学院物理系,江苏南京210013

出　　处：《物理与工程》2009年第4期8-11,7,共5页Physics and Engineering

摘　　要：基于电子具有自旋的特性,介绍了自旋场效应晶体管的基本原理和研究进展;通过研究发现自旋场效应晶体管具有良好的电导开关效应,外加磁场后则呈现出磁开关效应.Based on the spin properties of electron, we have introduced the basic principles and progress of the spin field-effect transistor （SFET）. It has been shown that the SFET exhibit excellent switching effect and magnetic switching effect when external magnetic field is applied.

关 键 词：自旋电子学 极化 自旋场效应晶体管 自旋输运 开关效应 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]