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出 处:《半导体技术》2009年第9期927-929,共3页Semiconductor Technology
摘 要:介绍了一种毫米波低相噪源的设计方法,采用PDRO和倍频电路方案,对本微波源的相位噪声和频率稳定度进行了分析,并简要介绍了PDRO的设计,对研制成的实物进行了测试,达到了设计要求的指标。该毫米波源的相位噪声≤-95dBc/Hz@10kHz,频率稳定度Δfout/fout≤1×10-8,杂波抑制比rs≤-75dBc。该毫米波源具有相位噪声低、体积小、Q值高、频率温度稳定性好等优点,具有广阔的应用前景。A mm-wave low phase noise frequency synthesizer was designed using PDRO and multiply frequency technology. The phase noise and frequency stability of the resource were studied. The design of PDRO was introduced. The product was tested. The ram-wave low noise frequency synthesizer phase noise is ≤ - 95dBc/Hz @ 10 kHz, frequency stability Afout/fout ≤1 ×10^-8 spurious rejection ratio r8 ≤ - 75dBc. The design of nun-sources has the advantages of low phase noise, small volume, high Q value and stable frequency temperature coefficient. The mm-sources can be widely used in the microwave circuit.
关 键 词:毫米波 相位噪声 取样锁相 介质压控振荡器 本振源
分 类 号:TN74[电子电信—电路与系统]
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