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作 者:傅仁利[1,2] 陈璐[1,2] 吴音[1,2] 周和平[1,2]
机构地区:[1]清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 [2]清华大学材料科学与工程系
出 处:《人工晶体学报》1998年第3期206-212,共7页Journal of Synthetic Crystals
基 金:国家自然科学基金
摘 要:本文以氧化铝和石墨为原料,在普通氮气气氛条件下成功地合成出了氮化铝(AlN)晶须。对碳热还原法合成AlN晶须的工艺条件、显微形貌、生长取向和生长机理进行了初步分析和探讨。由于生长条件不同,AlN晶须通常呈六棱柱状、片状或四方形截面状等多种形态。六棱柱状晶须的生长取向为[0001]方向,而片状和四方形截面晶须的生长取向则为[0111]等其它方向。碳热还原法合成AlN晶须的初期阶段,矿化剂与原料形成的低共熔液相为晶须的成核提供了液相触媒(Catalyst),即晶须以VLS机制成核,但晶须后期生长过程中则主要以VS机制为主。rowth mechanism and morphologies of AlN whiskers prepared by carbothermal reduction method are studied as well as the technological condition.The optimum growth condition is at 1600~1700℃ for 3~5 hours with flowing nitrogen(0.6L/min),when the raw materials are αAl2O3 and graphite(Al2O3∶C=4∶1 in weight).Generally,whiskers with hexagonal cross section grow along and platelike whiskers have a growth orientation parallel to [0111] et al other than .During the growth of whiskers,VLS mechanism and VS mechanism serve the function together.In the early stage,AlN whiskers nucleate by VLS mechanism and after the liquid catalyst disappears,VS mechanism plays the leading role.
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