氮化硅陶瓷在TEM观察过程中的分形生长  

Fractal Growth during TEM Observation on Si 3N 4 Ceramics

作　　者：杨海涛[1,2] 杨国涛[1,2] 袁润章[1,2] 

机构地区：[1]武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室 [2]中南工业大学材料系

出　　处：《人工晶体学报》1998年第3期291-293,共3页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：本文报道了直接利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）中的透射电子束辐射氮硅使之分解，从而可利用ＴＥＭ在纳米尺度上直接观察到氮化硅分解出的硅蒸气在挥发凝聚过程中产生的分形生长全过程，为深入研究分形生长这一自然界最普遍的现象提供了极佳的实验范例。An experimental study of fractal growth during TEM observations on sintered silicon nitride is reported.The fractal growth process generated by evaporation condensation of Si(g)decomposed from Si 3N 4 under the radiation of transmission electron beams can be observed directly with TEM in nano meter scale.This experiment provides an good example for research on fractal growth process.

关 键 词：分形 TEM 氮化硅陶瓷 晶须 陶瓷 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业]