金／硅纳米孔柱阵列的场发射  

Field emission from Au/silicon nanoporous pillar array

作　　者：富笑男[1] 罗艳伟[1] 符建华[1] 李坤[1] 程莉娜[1] 李新建[2] 

机构地区：[1]河南工业大学理学院,河南郑州450001 [2]郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,河南郑州450052

出　　处：《功能材料》2009年第9期1559-1562,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10574112);河南省教育厅自然科学基金资助项目(2007140003);河南工业大学科研基金资助项目(07XJC010);河南工业大学博士基金资助项目(2007BS009)

摘　　要：利用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))上制备了复合纳米薄膜Au/Si-NPA。测试了其场发射性能。测试结果显示,Au/Si-NPA的开启电场为约2V/μm;在7.59V/μm的外加电场下,其发射电流密度为67μA/cm2;在外加电压2000V时,其电流浮动率为21%。导致Au/Si-NPA优良的发射性能是由于其独特的表面形貌和结构所致。Au/Si-NPA is fabricated on silicon nanoporous pillar array （Si-NPA） by immersion technique. Field emission from Au/Si-NPA is studied. The results of Au/Si-NPA show that the turn-on field is about 2V/μm,the emission current density of 67μA/cm^2 is obtained to be 7.59 V/μm,and the current fluctuation ratio is 21% at 2000V applied voltage. The enhanced field emission from Au/Si-NPA is attributed to unique surface morphology and structure of Au/Si-NPA.

关 键 词：金/硅纳米孔柱阵列 场发射 浸渍技术 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学]