砷化镓表面RHEED图谱的LabVIEW设计  

RHEED Patterns of Gallium Arsenide(GaAs) Surface Designed by LabVIEW

作　　者：崔英善[1] 丁召[1] 张正平[1] 陆安江[1] 

机构地区：[1]贵州大学电子科学与信息技术学院,贵阳550025

出　　处：《微计算机信息》2009年第25期99-101,共3页Control & Automation

基　　金：基金申请人:丁召;项目名称:GaAs表面相变过程的MBE/SMT研究;基金颁发部门:贵州省科技厅自然科学基金(Z073085)

摘　　要：本文在LabVIEW 8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理及样品砷化镓GaAs(001)_a(2×4)结构模型的表面原子结构进行深入探究,编程设计实现了理论情况下的GaAs(001)_a(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使有关虚拟RHEED实验系统课题的研究进一步深入,课题最终成果将具有双重意义。Under the development environment of LabVIEW 8.2,through exploring the principle of （Reflection High Energy Electron Diffraetion）RHEED and the atomic structure of the sample Gallium Arsenide GaAs（O01）_ a（2×4） structural modelsurface in depth,this paper programmed,designed and implemented the RHEED patterns of GaAs （001）_a （2×4） surface atomic structure in theory circumstances.The staged production makes the study on the subject about virtual RHEED equipment system further in-depth.And the ultimate production of the study has a dual significance.

关 键 词：虚拟仪器 LABVIEW 砷化镓(GaAs) RHEED图谱 

分 类 号：TP311.1[自动化与计算机技术—计算机软件与理论] TP391[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]