检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]河北建筑工程学院数理系,河北张家口075000 [2]河北建筑工程学院电气系,河北张家口075000
出 处:《电源技术》2009年第9期806-809,共4页Chinese Journal of Power Sources
基 金:国家自然科学基金资助项目(50237040)
摘 要:针对硅微波低噪声三极管2SC3402进行方波电磁脉冲效应实验,主要研究三极管在方波电磁脉冲作用下哪些部位对电磁脉冲最为敏感,哪些电参数最容易发生变化。实验采用方波电磁脉冲发生器对三极管进行方波电磁脉冲注入,观察三极管电参数的变化。实验结果表明,三极管对电磁脉冲最敏感的部位是集电结,最灵敏参数是CE反向击穿电压VBRCEO。Silicon micro-wave low-noise triode, such as 2SC3402 has carried on experiments of the square wave electromagnetic pulse effect and get some initial conclusions. The experiment follows that the triode's most sensitive position of square wave electromagnetic pulse is the collector junction. The most sensitive parameters are the reverse breakdown voltage VBRCEo between collector and emitter.
分 类 号:TM835[电气工程—高电压与绝缘技术] TN112[电子电信—物理电子学]
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