Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构  

作　　者：胡运明[1] 王中光[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳110015

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第5期594-598,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19392300-4)

摘　　要：用透射电子显微镜(TEM)研究了受循环应变载荷作用的Cu双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的(001)和(210)位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Burgers矢量的位错密切相关。

关 键 词：铜双晶 迷宫位错结构 滑移系 饱和位错结构 

分 类 号：TG146.11[一般工业技术—材料科学与工程]