低阈值基横模条形半导体激光器  

Stripe Semiconductor Lasers with Low--Threshold Current and Fundamental Transverse Mode

作　　者：张石桥 谭叔明[1] 高伟[2] 庄婉如[3] 

机构地区：[1]北方交通大学物理系,100044 [2]北京大学物理系,100871 [3]中国科学院半导体研究所,100083

出　　处：《量子电子学》1990年第2期147-151,共5页

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文利用等效折射率法对条形半导体激光器进行分析,得到确定条形激光器结构参数的公式,并对我们所研究的AlGaAs/GaAs BH激光器进行优化设计,得出最佳结构参数,最后给出实验测试结果,与设计要求相符。By using effective index method, stripe Lasers are analysed and the formulas deter-ming their structural parameters are given. The optimum structural parameters of AlGaAs/GaAs BH Lasers are obtained by numerical analysis. Finally we present the experimentalresults, which are in agreement with design.

关 键 词：半导体 激光器 模条形 等效 折射率 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]