直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光试验成功  

出　　处：《光机电信息》2009年第9期48-48,共1页OME Information

摘　　要：欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光．标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW．发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小、温度稳定性更高、调制能力更强、更易于控制。

关 键 词：半导体激光 氮化铟镓 试验成功 发光 光电半导体 绿色激光器 温度稳定性 发射波长 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN248