单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用  

Single-chamber deposition of intrinsic microcrystalline silicon thin film and its application in solar cells

作　　者：王光红[1] 张晓丹[1] 孙福河[1] 许盛之[1] 岳强[1] 魏长春[1] 孙建[1] 耿新华[1] 熊绍珍[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《光电子．激光》2009年第5期637-641,共5页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家高技术研究发展规划资助项目(2007AA05Z436);国家重点基础研究发展规划资助项目(2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金资助项目(60506003);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390);教育部新世纪人才计划的资助项目;南开大学博士启动基金资助项目(J02031)

摘　　要：为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和p种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1cm2)的单结μc-Si电池。To obtain high efficiency microcrystalline silicon solar cell in single chamber, a series of intrinsic microcrystalline silicon thin films were prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition（VHF-PECVD） at different deposition conditions. The structural and electrical properties of these films were researched. Based on the experience of device grade intrinsic microcrystalline silicon used in multi-chamber,through the choice of suitable intrinsic layer and p seeding layer technique, the single junction microcrystalline silicon solar cell with 6.23 % （1 cm^2 ） conversion efficiency has been fab- ricated in single chamber.

关 键 词：单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 本征微晶硅(μc-Si) 太阳电池 

分 类 号：TN304.1[电子电信—物理电子学]