国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述(四)  

作　　者：王洪波 

出　　处：《中国集成电路》2009年第9期20-26,共7页China lntegrated Circuit

摘　　要：2008年，绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b：热生长／薄膜／掺杂／刻蚀。表FEP4的变动受到新的ORTC高性能、低待机功耗、低运行功耗逻辑器件物理栅长按比例缩小模型的驱动。

关 键 词：半导体技术 路线图 低待机功耗 综述 国际 按比例缩小 技术需求 器件物理 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]