用于无线局域网的双频段低噪声放大器  

A Novel Dual-band CMOS Low Noise Amplifier for Wireless LAN Applications

作　　者：马和良[1] 陈磊[1] 张润曦[1] 赖宗声[1,2] 

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]华东师范大学,纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062

出　　处：《固体电子学研究与进展》2009年第3期373-377,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：上海AM基金(07SA04);上海重点学科建设项目(B411)

摘　　要：采用0.18μmCMOS工艺设计并制造了一款新型的应用于无线局域网的双频段低噪声放大器。设计中,通过切换输入电感和负载电感,来使电路分别工作在2.4GHz和5.2GHz频段。在1.8V的电源电压下,在2.4GHz和5.2GHz两个频段上,其增益分别达到了11.5dB和10.2dB,噪声系数分别是3dB和5.1dB。芯片总面积是0.9mm×0.65mm。A novel dual-band low noise amplifier applied in Wireless LAN is designed and fabricated in 0.18 μm CMOS process.In this dual-band LNA,by switching the input inductors and load inductors,the gain and impedance matching are achieved at the 2.4 GHz and the 5.2 GHz operation frequency bands,respectively.With a 1.8 V power supply,the LNA has a gain of 11.5 dB at 2.4 GHz and 10.2 dB at 5.2 GHz,and the noise figure of 3 dB at 2.4 GHz and 5.1 dB at 5.2 GHz,respectively.The total die area is 0.9 mm×0.65 mm.

关 键 词：双频段 低噪声放大器 无线局域网 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]