自动张量低能电子衍射对GaAs()-(2×2)表面结构的研究  

Surface Structure Analysis of GaAs (1 1 1) (2×2) With Automated Tensor Low Energy Electron Diffraction

作　　者：邓丙成[1] 徐耕[1] 余招贤[1] 

机构地区：[1]中山大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第12期908-912,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．Abstract GaAs (1 1 1) (2×2) surface structure has been solved quantitatively by analysis of tensor low energy electron diffraction(TLEED) spectra. The As trimers adsorbed on the T 4 site position and the large buckling of surface atoms characterize this reconstruction keeping reasonable bond lengths. The intensities of 10 nonequivalent beams are compared with a good level of agreement between the calculation and experiment.

关 键 词：砷化镓 表面结构 LEED 电子衍射 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]