DCM染料掺杂对有机电致发光磁效应的影响  

作　　者：陈平[1] 雷衍连[1] 刘荣[1] 张巧明[1] 张勇[1] 熊祖洪[1] 

机构地区：[1]西南大学物理科学与技术学院发光与实时分析教育部重点实验室,重庆400715

出　　处：《中国科学（G辑）》2009年第10期1459-1466,共8页

基　　金：霍英东教育基金会(批准号:101006);国家自然科学基金(批准号:10974157);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0772);教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:教外司留(2007)1108号);人事部留学人员科技活动资助项目

摘　　要：制备了DCM染料掺杂的有机电致发光器件ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al,研究了15K^R.T.(室温)温度范围内,器件的电致发光随磁场的变化关系(即电致发光的磁效应).发现电致发光的磁效应由低场(0≤B≤40mT)效应和高场(B≥40mT)效应两部分组成.室温下,对于未掺杂的参考器件,发光在低场部分随磁场的增加迅速增强,高场部分随磁场的增加缓慢并逐渐趋于饱和.而对于掺杂器件,尽管发光在低场部分随磁场也迅速增强,但高场部分却在低场增加的基础上出现下降.器件的注入电流越大,发光在高场下降越明显.低温下(T≤150K),尽管未掺杂器件电致发光的磁效应的高场部分也出现减弱趋势,但掺杂样品的高场部分受温度的影响要远弱于未掺杂样品的结果.基于掺杂引起的能级陷阱效应,通过讨论外磁场作用下的三重态激子淬灭过程,我们对实验结果进行了定性解释.

关 键 词：染料掺杂 有机电致发光的磁效应 能级陷阱 三重态激子淬灭 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学] TM835[电气工程—高电压与绝缘技术]