基于电容倍增技术的LDO补偿方法  

The Compensation of LDO Based on Capacitor Multiplier

作　　者：应建华[1] 黄杨[1] 黄萌[1] 丁川[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《微电子学与计算机》2009年第11期102-105,共4页Microelectronics & Computer

摘　　要：设计了一种低静态电流、高稳定性的LDO稳压器.该电路使用电容倍增技术进行频率补偿,减小了补偿电容值,节省了芯片面积,在负载电流0.1mA和150mA时具有较好的相位裕度.电路采用XFAB0.6μm CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17μA,最大驱动电流150mA.使用10μF的负载电容,在负载电流变化率为150mA/100μs时,最大过冲为22mV(1.83%).This article presents a low quiescent current, highly stable LDO. The LDO uses the capacitor multipliers in the compensation circuit to reduce the capacitor value and the chip area. The phase margin is adequate when load current is 0. 1mA or 150mA. The LDO is implemented in XFAB 0.6μm CMOS process. With a capacitor load of 10μF, the overshoot voltage is 22mV（ 1.83% ） while the current changes 150mA/100μs.

关 键 词：LDO频率补偿 电容倍增 动态偏置 缓冲级 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]