硅CCD多路传输器的研制  

作　　者：程开富[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所

出　　处：《电子工业专用设备》1998年第3期11-15,共5页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：成功研制的４０元硅ＣＣＤ多路传输器，为三相结构，采用埋沟和三层多晶硅技术。器件动态范围≥４５ｄＢ；转移效率≥９９．９９５％，非均匀性±３％，信号输出幅度≥８００ｍＶ，驱动电压±１５Ｖ。

关 键 词：电荷耦合器件 多路传输器 硒化铅 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN386.5