双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体  

Large-diameter (Ф40) HgCdTe crystal grownby composite two-phase method

作　　者：刘克岳 王金义 

机构地区：[1]华光光电技术研究所

出　　处：《半导体杂志》1998年第3期15-19,共5页

摘　　要：介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Ф４０ｍｍ）、大单晶面积（４～１０ｃｍ２）、径向组分均匀（ｘ≤±０．００３）、光电性能良好（７７Ｋ：ｎｉ≤５×１０１４ｃｍ－３、μｉ≥１．５×１０ｓｃｍ２／Ｖ．ｓ、≥２μｓ；３００Ｋ：０．９ｍｍ厚的晶片透过率Ｔ≥１５％）的碲镉汞晶体。The largest-diameter ( Ф40 ) HgCdTe crystal grown by a new growth method-composite two phase in our country. The growth mechanism & process are expounded. The influence factors on HgCtdTe crystal growth are analysed in detail. The existing problems and the measures for improving crystal growth are presented by adopting suitable measures, the HgCdTe crystal with large area of single crystal, homogeneouscomposition, better performance of electo-optics have been achieved.

关 键 词：碲镉汞 晶体生长 双相复合 垂直结晶 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.054