液晶吸附结构的STM形貌研究  

作　　者：徐庆敏[1] 谭忠印[2] 王琛[1] 马金 杨林静[1] 李清[1] 朱传凤[1] 王乃新[1] 白春礼[1] 

机构地区：[1]中国科学院化学研究所,北京100080 [2]辽宁师范大学化学系,大连116029

出　　处：《中国科学（B辑）》1998年第5期391-396,共6页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :196 34 0 10 )

摘　　要：在室温下 ,利用扫描隧道显微镜 (STM )对 4 戊基 4′ 甲氧基苯甲酸苯酯吸附在石墨基底上的结构进行了研究 ,结果表明分子为单层且有一定位错的头 (甲氧基 )对头、尾 (烷基 )对尾排列 ;理论计算表明 :外加偏压产生的电场对分子轨道能级及其极化率具有一定的影响 ;由于分子的HOMO ,LUMO能级与石墨费米能级之间的能量差值较大 ,低偏压下不利于STM成象 ,因此 ,分子的极化率对石墨基底功函数的影响可能是形成该液晶分子STM形貌的主要因素 .

关 键 词：液晶 扫描隧道显微镜 分子模拟 吸附结构 

分 类 号：O753.2[理学—晶体学]