AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析  

Geometric phase analysis of strain in AlSb/GaAs hetero-epitaxial film by HRTEM

作　　者：贺小庆[1,2] 温才[2] 卢朝靖[1,3] 段晓峰[2] 

机构地区：[1]湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉430062 [2]中国科学院北京电镜实验室,北京凝聚态物理国家实验室,北京100190 [3]青岛大学国家重点实验室培育基地,山东青岛266071

出　　处：《电子显微学报》2009年第4期338-342,共5页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家科技部973项目资助(2007CB936301);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-05-0678);山东省自然科学杰出青年基金(JQ200818)的部分资助

摘　　要：用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。Strain of AISb/GaAs hetero-epitaxial film has been analysed using geometric phase method based on the Fourier transform of a HRTEM lattice image. The phase distribution of lattice fringes is obtained by selecting a strong Bragg reflection within the point resolution and performing an inverse Fourier transform. Then strain tensor components εxx,εyy are obtained. The Bragg-filtered images confirmed the existence of 90° and 60° misfit dislocations at the interface. A possible mechanism of the strain distribution near the dislocation cores is proposed.

关 键 词：高分辨透射电子显微术 异质结 应变 失配位错 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学] TG115.215.3[金属学及工艺—物理冶金]