氧氩比变化对于ZnO薄膜结构及其荧光发射的影响  

作　　者：李勇[1] 马书懿[1] 蔡丽霞[1] 李锡森[1] 

机构地区：[1]西北师范大学物理电子工程学院,甘肃兰州730070

出　　处：《甘肃科技》2009年第20期56-57,共2页Gansu Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10874140);甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJ2A105)

摘　　要：不同氧氩比对于ZnO薄膜的结构及其荧光发光的影响。随着氧氩比的增加,ZnO薄膜(002)面的衍射峰明显增高,且变得更尖锐,薄膜的晶化得到改善。所有制备的样品均出现了波长位于446nm左右的蓝光峰。随氧分压逐渐增大,样品的PL谱中蓝光峰相对强度比增加。

关 键 词：氧氩比 XRD 光致发光 

分 类 号：TB303[一般工业技术—材料科学与工程]