U-10Mo/Al-Si固体扩散行为  

Diffusion Behavior on U-10Mo/Al-Si Alloys

作　　者：刘云明[1] 尹昌耕[1] 孙长龙[1] 陈建刚[1] 孙旭东[1] 杨红艳[1] 郭振[1] 

机构地区：[1]中国核动力研究设计院核燃料及材料国家级重点实验室,四川成都610041

出　　处：《原子能科学技术》2009年第11期1009-1016,共8页Atomic Energy Science and Technology

基　　金：中国核动力研究设计院核燃料及材料国家级重点实验室基金资助项目(JW081)

摘　　要：采用扩散偶方法研究U-10Mo合金与Al-xSi（x＝0，1，2，5，7，9，质量分数）合金的固体扩散行为。实验在真空热压炉中完成，退火温度为555、570、580、590和595 ℃，时间为5～10 h。实验结果表明：退火条件对扩散行为有显著影响，580 ℃是U-10Mo/Al-xSi扩散行为的重要分界点；当温度低于580 ℃热压退火处理时，扩散层厚度随Si含量的增加先急剧减小然后缓慢增大；当温度高于580 ℃时，扩散层的厚度随Si含量的增加而增加。Si含量较高（≥2%）的扩散偶扩散层厚度比低Si含量的小，扩散层呈3层结构，靠近Al-Si侧出现贫Si区。成分分析显示：Si含量较高的扩散偶，靠近U-Mo侧的扩散薄层中出现Si的富集，其成分为（U，Mo）（Al，Si）x （x≤3）；靠近Al-Si合金侧的扩散层成分为（U，Mo）（Al，Si）x （x＞3）。The diffusion behavior between U-10Mo and A1-Si alloys was studied with diffusion-couple method. The couple was annealed in a high vacuum heat-pressure furnace at 555, 570, 580, 590 and 595 ℃, respectively for 5-10 h. Annealing conditions have a significant effect on interaction-layer thickness. When temperature is lower than 580 ℃ with pressuring, the thickness suddenly decreases then slowly increases with the Si content increasing; however, when temperature is higher than 580 ℃ the thickness increases with the Si content increasing. Interaction layer with higher Si content which thickness is lower than that with lower Si content is composed of three layers. Si-rich layer with the composition of （U, Mo）（A1, Si）x（x≤3） closes to U-10Mo side, Si-poor layer with the composition of （U, Mo）（Al, Si）x（x〉3） closes to Al-Si side.

关 键 词：U—Mo合金 Al—Si合金 扩散偶 扩散层 

分 类 号：TL341[核科学技术—核技术及应用]