金属支架0.5W红外发光二极管研究  

Study on 0.5W Metal Framework Infrared LED

作　　者：夏正浩[1,2,3] 李炳乾[2] 郑同场[1,3] 王卫国 张运华 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631 [2]佛山科技学院物理系,广东佛山528000 [3]深圳成光兴实业有限公司,广东深圳518100

出　　处：《半导体光电》2009年第5期669-671,675,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：广东省自然科学基金项目(04011642);佛山市科技发展专项基金项目(04030021);教育部光电子器件与系统重点实验室开放基金资助课题

摘　　要：设计了一种采用金属支架直接导热的大功率红外发光二极管封装结构。该封装结构通过增加芯片底部金属座的厚度和尺寸,有效改善了散热性能,降低了封装热阻。实验测量表明,大功率红外发光二极管峰值波长为850nm,发光束角10°,典型输入功率为0.5W,最大输入功率可以达到2W以上,最大电光转换效率可达37.82%,最大辐射功率达到415.25mW。Using metal framework for heat conduction, a new packaging structure for power infrared light-emitting diode （LED） is introduced. This structure improves the heat dissipation effectively by increasing the size and the thickness of the metal framework. Experiment results show that the peak wavelength of the infrared LED is 850 nm, with the beam angle of 10°. The typical input power is 0.5 W, and the maximum input power can reach higher than 2 W. The largest electro-optical conversion efficiency is up to 37. 82%, and the largest radiation power reaches 415.25 mW.

关 键 词：红外发光二极管 大功率封装 散热 金属支架 辐射功率 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]