欧司朗成功研发出直接发光绿色的InGaN激光器  

出　　处：《现代材料动态》2009年第11期18-19,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：2009年8月欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光，标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW，发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小，温度稳定性更高，调制能力更强，更易于控制。

关 键 词：GaN激光器 欧司朗 发光 研发 光电半导体 半导体激光 绿色激光器 温度稳定性 

分 类 号：TN946.5[电子电信—信号与信息处理] TU113.66[电子电信—信息与通信工程]