ADI推出用于4G蜂窝基站的突酸性射频电路  

在线阅读下载全文

出  处:《半导体技术》2009年第11期1155-1155,共1页Semiconductor Technology

摘  要:2009年10月13日,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商ADI,最新推出设计用于LTE(长期演进)和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度RFIC(射频集成电路)系列。LTE是UMTS(通用移动电信系统)标准的增强版,它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终极阶段。为解决射频卡的高密度集成问题,ADI公司推出的新型ADRF660x系列混频器与ADRF670x系列调制器将多个分立功能模块集成到单个器件,并能满足更高容量基站所需要的严苛性能,实现了这些高密度射频卡。

关 键 词:ADI公司 蜂窝基站 射频电路 射频集成电路 通用移动电信系统 酸性 4G 信号处理 

分 类 号:TN792[电子电信—电路与系统] TN929.53

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象