激光束诱导电流法提取HgCdTe光伏探测器的电子扩散长度  

Determination of electron diffusion length in HgCdTe photodiodes using laser beam induced current

作　　者：殷菲[1] 胡伟达[1] 全知觉[1] 张波[1] 胡晓宁[1] 李志锋[1] 陈效双[1] 陆卫[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》2009年第11期7884-7890,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10734090;10725418);上海-应用材料研究与发展基金(批准号:08520740600);航空科学基金(批准号:20080190001)资助的课题~~

摘　　要：由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文通过二维数值模拟,分析了等效扩散长度L和扩散长度Lp的关系.二者的比例关系为L/Lp=1.1,该基本关系不受器件的关键参数如掺杂浓度、载流子寿命、载流子迁移率等的影响.最后将激光束诱导电流实验所获得的等效扩散长度L进行除1.1因子的修正,给出了实际HgCdTe光伏器件中的电子扩散长度.The standard diffusion length （L_p） test procedure is apt to damage the p-n junction, so we often use characteristic decay length （L） obtained by laser beam induced current （LBIC） instead of L_p. Two dimensional modeling is used to get the relations of L and L_p. Calculated L/L_p ratio is about 1.1, and it is not affected by doping concentration, Shockley-Read-Hall （SRH） lifetime and mobility. For HgCdTe photodiodes, we get characteristic decay length from the LBIC experiment, and get the true diffusion length by division by the ratio 1.1.

关 键 词：碲镉汞 激光束诱导电流 扩散长度 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN304.8