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作 者:邹云娟[1] 严辉[1] 陈光华[1] 金运范[2] 杨茹[2]
机构地区:[1]北京工业大学应用物理系 [2]中国科学院近代物理研究所
出 处:《物理学报》1998年第11期1923-1927,共5页Acta Physica Sinica
基 金:北京市自然科学基金;北京市跨世纪人才工程专项基金
摘 要:在200keV重离子加速器上,用120—360keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽。Abstract The C 60 films have been implanted with 120—360keV H,N, Ar and Mo ions by using a 200keV heavy ion accelerator. The samples were investigated by Raman spectra. The results showed an exponential decrease of intensity for 1469cm -1 line depending on the kind of ions and dose. There appeared a structural transformation of C 60 to amorphous carbon at certain doses, which is correlated to the nuclear energy transfer. H ions implantation resulted in an asymmetrical broadening of 1469cm -1 line, which is due to the electronic energy transfer.
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