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作 者:欧铜钢[1,2] 王建兴[1,2] 潘勇[1,2] 郑军[1,2] 周兆锋[1,2]
机构地区:[1]湘潭大学材料与光电物理学院,湖南湘潭411105 [2]湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖南湘潭411105
出 处:《材料保护》2009年第11期12-14,共3页Materials Protection
基 金:湖南省科技厅重点项目(2007GK3064)
摘 要:关于硫酸盐体系中镀铜的沉积机理少见报道,采用循环伏安法和计时电流法研究了铟在硫酸盐体系中电沉积的循环伏安特性与电结晶机理。通过分析恒电位暂态曲线,求出铟离子的扩散系数D和不同电压下的晶核密度N0。结果表明:铟的电沉积没有经历欠电位沉积过程,而是经历了晶核形成过程,其电沉积反应是一个不可逆过程;在外加电位范围内铜的电结晶按照瞬时成核方式和三维生长方式进行。The cyclic voltammetry property and electrocrystallizationmechanism of indium on vitreous carbon electrode in a sulfatebath were investigated by means of cyclic voltammetry and poten-tial step timing. The diffusion coefficient D of In ions and saturat-ed nuclear number density N0 were estimated by analyzing the po-tentiostatic transient curves. Results show that nickel don' t un-dergo UPD process but nucleation process on the substrate. Theelectrodeposition reaction was irreversible, and the electrocrystal-lization of In followed the three-dimensional instantaneous nuclea-tion mechanism.
分 类 号:TQ153.14[化学工程—电化学工业]
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