掺杂氧化物半导体在复合隐身方面的研究进展  

THE RECENT PROGRESS OF DOPED SEMI-CONDUCTOR OXIDE AS MULTI-FUNCTIONAL CAMOUFLAGE MATERIAL

作　　者：赵印中[1] 许旻[1] 李林[1] 王洁冰[1] 吴春华[1] 何延春[1] 

机构地区：[1]兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,甘肃兰州730000

出　　处：《真空与低温》2009年第3期178-184,共7页Vacuum and Cryogenics

摘　　要：从掺杂氧化物半导体材料的隐身理论、复合隐身研究方向以及研究进展等方面,介绍了掺杂氧化物半导体在隐身材料方面的研究现状。Advances in research on doped semi-conductor Oxide as multi-functional stealth material are reviewed in terms of its stealth meehanism, study direction and development status.

关 键 词：掺杂氧化物半导体 复合隐身 研究现状 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]