10 Gbit/s高速GaInAs/InP平面PIN的研究  

Research of 10Gbit/s high speed GaInAs/InP Planar PIN

作　　者：徐之韬 王任凡 陈浩瀚 

机构地区：[1]武汉电信器件公司

出　　处：《光通信研究》1998年第5期37-41,共5页Study on Optical Communications

基　　金：邮电部重点科研项目

摘　　要：本文报道了平面结构正面进光高速ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ平面ＰＩＮ光电二极管（使用Ｓｉ－ＩｎＰ衬底）。该器件具有高的稳定性（在１５０℃下经１４４０小时高温老化后，暗电流无变化），大带宽（１５ＧＨｚ），高响应度（在１．３μｍ波长下，响应度为０．９４Ａ／Ｗ）。This paper repoted a top illuminated GaInAs/InP PIN photodiode has been produced in planar junction configaration(with Si InP substrate), wich combines high reliability(no change in dark current over 1500h at 150℃), with the wide bandwidth (15GHz) and high responsivity (0.94A/W at 1.3μm).

关 键 词：光电二极管 平面PIN 光通信 光接收机 

分 类 号：TN929.1[电子电信—通信与信息系统] TN364.2[电子电信—信息与通信工程]