HgCdTe光导探测器的失效分析  

作　　者：邹子英[1] 胡晓宁[2] 

机构地区：[1]上海市计量测试技术研究院 [2]中科院上海技术物理研究所

出　　处：《上海微电子技术和应用》1998年第3期25-27,48,共4页

摘　　要：利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。

关 键 词：失效分析 光导探测器 缺陷 工艺损伤 汞 镉 碲 

分 类 号：TN215.05[电子电信—物理电子学]