高速半导体激光器组件的综合优化设计  

作　　者：刘宇[1] 陈硕夫[1] 王欣[1] 袁海庆[1] 谢亮[1] 祝宁华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《科学通报》2009年第20期3030-3035,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60820106004;60536010;60606019;60777029;60837001);国家重点基础研究发展计划(编号:G2006CB604902;G2006CB302806);国家高技术研究发展计划(编号:2009AA03Z409);科技部重大国际合作项目(编号:2006dfa11880)资助

摘　　要：高速半导体激光器组件的综合优化设计需要全面考虑激光器组件封装过程中的各种因素.在研究高速光电子器件的频响测试、建模分析和寄生补偿等技术的基础上,提出了一种高速半导体激光器组件的综合优化设计方法,并进行了半导体激光器的TO封装和优化实验,封装后组件的带宽达到10GHz,并且改善了带内平坦度和相频线性度等特性,验证了该方法的可行性.

关 键 词：优化设计 本征响应 等效模型 半导体激光器 光电子 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN248